离子刻蚀-反应离子刻蚀

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于离子刻蚀的问题，于是小编就整理了3个相关介绍离子刻蚀的解答，让我们一起看看吧。

什么是等离子刻蚀？

首先是要利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电，产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团，生成的反应产物是挥发性的。

等离子是如何对材料进行刻蚀的？

等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤：

　　●在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（Radicals）

　　●活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物

　　●反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。

　　在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向异性刻蚀得以实现。

刻蚀工艺的原理和目的？

刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。

湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是：

湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀

优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低

缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液

干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。

干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀，等离子刻蚀（Pla***a Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

刻蚀工艺是一种通过化学或物理方法去除材料表面的工艺。其原理是利用化学溶液或离子束等对材料进行腐蚀或剥离，从而实现对材料表面的精确加工和微细结构的制备。

刻蚀工艺的目的是实现微电子器件的制造、光学元件的加工、纳米结构的制备等。通过刻蚀工艺，可以实现微细加工、表面改性、结构调控等，从而满足不同领域对材料的特定需求。

蚀刻，通常所指蚀刻也称光化学蚀刻（photochemical etching），指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

蚀刻加工，是利用这一原理，对金属进行定制加工的一门工艺手段。

到此，以上就是小编对于离子刻蚀的问题就介绍到这了，希望介绍关于离子刻蚀的3点解答对大家有用。