阈值电压-阈值电压是什么意思

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于阈值电压的问题，于是小编就整理了3个相关介绍阈值电压的解答，让我们一起看看吧。

什么是阈值电压和关闭电压？

阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

截止电压就是终止电压，是指电池放电时，电压下降到电池不宜再继续放电的最低工作电压值。不同的电池类型及不同的放电条件，终止电压不同。

阈值电压的求法？

阈值电压的计算

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:

W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。

剩余58.3%

nMOS：Vth=0.7V

，pMOS：Vth=-0.8V。

MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(

如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。

ttl与非门的阈值电压是什么？

TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。

或非门：Y = (A + B)' ，只要有一个输入是 1 ，输出就为 0 ；输入全为 0 ，输出才为 1 。 TTL 器件：输出高电平 ≥ 2.7V，典型值 3.6V，输出低电平 ≤ 0.4 V ；输入高电平 ＞ 2V，输入低电平＜ 0.8 V 。 CMOS 器件电源电压较宽，有的可达12V，高电平接近 Vcc 值 ，低电平 0V ~ 0.3 * Vcc 。

开门电平和关门电平基本上是相等的，对应曲线的斜率最大的地方的输入电平值，约为电源正电位的二分之一。

到此，以上就是小编对于阈值电压的问题就介绍到这了，希望介绍关于阈值电压的3点解答对大家有用。