巨磁电阻-巨磁电阻效应

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于巨磁电阻的问题，于是小编就整理了3个相关介绍巨磁电阻的解答，让我们一起看看吧。

巨磁效应原理？

巨磁效应是指由外加磁场引起的一些磁性材料的电阻巨大变化，是磁电子学中一项重要内容，在室温下具有巨磁电阻效应的巨磁电阻材料目前已有许多种类，例如，多层膜巨磁电阻材料，颗粒型巨磁电阻材料，氧化物型巨磁电阻材料，隧道结型磁电阻材料等。

巨磁阻效应的本质是什么？

1. 谓磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为 　　式中 △ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量； 　　ρ0——无磁场时的电阻率； 　　ρB——有磁场时的电阻率。 　　在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。 2. 所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。

巨磁阻本质是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。

巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。

磁阻的计算公式是什么？

rm=l/μsrm=磁阻l=磁路长度（m)s=截面积（m^2)μ=磁导率（h/m)

理论与实践均表明，对任何介质施加一磁场H时(该磁场可由外部电流或外部永磁体提供，亦可由永磁体对永磁介质本身提供，由永磁体对永磁介质本身提供的磁场又称退磁场---关于退磁场的概念，见9 Q)，介质内部的磁场强度并不等于H，而是表现为H与介质的磁极化强度J之和。由于介质内部的磁场强度是由磁场H通过介质的感应而表现出来的，为与H区别，称之为介质的磁感应强度，记为B： B=μ0H+J （SI单位制）

（1-1） B=H+4πM （CGS单位制）磁感应强度B的单位为T，CGS单位为Gs（1T=104Gs）。

到此，以上就是小编对于巨磁电阻的问题就介绍到这了，希望介绍关于巨磁电阻的3点解答对大家有用。